原标题：金属新资料职业专题报告：氮化镓，第三代半导体后起之秀，下流浸透潜力巨大

  【金属新资料职业专题报告：氮化镓，第三代半导体后起之秀，下流浸透潜力巨大】

  熟化锌(GaN) 是最具代表性的第三代半导体资料之一，禁带宽度到达 3.4eV。更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱满遗率及更优的抗辐照才能，使得其在功率器材、射频器材、光电器材范畴大有作为。跟着5G 通讯、消费电子、新能源轿车、数据中心等高景气量下流逐渐提出更高功能

  要求，有望放量涨价。熟化锦村备技能正不断打破，或成降本增效要害点现在 GaN 单晶村底以 2-3 英寸为主，4 英寸已完成商用，6英寸样本正开发。GaN 体单晶村底的首要办法有氢化物气相外延法、氧热法，以及助熔剂法:使用各成长办法优势互补有望处理单一成长办法存在的问题，从而提高 GaN 晶体质量、削减相关本钱及推进规划量产。

  射频电子范畴、电力电子范畴以及光电子范畴为 GaN 首要使用方向GaN 是现在能一起完成高频、高效、大功率的代表性器材，在 5G 基站、新能源充电雄等新基建代表中均有所使用。GaN 器材是支撑“新基建”建造的要害核心部件，有助于“双碳”方针完成，推进绿色低碳开展。随同下流新使用规划迸发，GaN 器材有望继续放量2017 年-2021年国内 GaN 功率器材与射频器材商场规划从 9.2 亿元/12.1亿元添加至17.6 亿元73.3 亿元，CAGR分别为17.6%和 56.9%。未来，跟着新基建、新能源、新消费等范畴的继续推进，GaN 器材在国内商场的使用呈现出敏捷添加的态势。

  跟着国掌方针的推进和商场的需求，GaN 器材在 5G 基站、数据中心有望会集放量，稳定添加。2021 年我国 5G 基站用 GaN 射频规划 36.8 亿元。2023 年今后，毫来波基站布置将成为拉动商场的首要力气，带动国内 GN 微波射频器材商场规划成倍数添加。

  GaN 器材在“快充”场景引领下，有望随中国经济的复苏和消费电于巨大的存量商场而不断破圈。依据 Yole 猜测，2020 年全球 GaN 功率商场规划约为 4600万美元，估计 2026 年可达 11 亿美元，2020-2026年 CAGR有望到达 70%。GaN 器材在太阳能逆变器、风力发电、新能源轿车等方面将随技能渐渐的提高连续“上车”

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