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  物理气相传输（PVT）法成长碳化硅单晶具有质量可控、工艺老练的优势，但晶体厚度一直是首要约束，而溶液法在进步晶体厚度方面体现杰出，可是现在仍尚未能完成真实的工业化出产。科友半导体根据自研电阻炉，经过学习溶液法的部分理念，破除了溶液法才干成长高厚度晶体的约束，充沛的利用了PVT法单晶安稳成长的优势，将两种制备办法的优势成功结合到一同。大厚度晶体的成功制备标志着科友半导体打破了大厚度碳化硅单晶成长的要害技能难题，向大尺度碳化硅衬底低本钱量产迈出了坚实一步，进一步彰显出电阻加热式长晶炉在代替传统感应炉、推进衬底本钱继续下降方面的巨大潜力。

  晶体质量直接影响衬底资料的良品率，科友半导体使用优化的工艺条件，削减籽晶内部缺点的承继，而且跟着晶体的厚度添加，来自于籽晶内部微观缺点得到充沛的转化和消除，进一步削减晶体内部微观缺点，有用提升了衬底资料的质量和良品率。

  尔滨科友半导体工业配备与技能研究院有限公司成立于2018年5月，企业坐落于哈尔滨市新区，是一家专心于第三代半导体配备研发、衬作、器材规划、科研成果转化的国家级高新技能企业，研发掩盖半导体配备研发、长晶工艺、衬底加工等多个范畴，构成自主知识产权，

  累计授权专利80余项，完成先进的技能自主可控。科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研集合区，完成碳化硅资料端从原资料提纯-配备制作-晶体成长-衬底加工-外延晶圆的资料端全工业链闭合，努力成为第三代半导体要害资料和高端配备首要供货商。

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