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  金融界2024年10月29日音讯，国家知识产权局信息数据显现，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司请求一项名为“超级背封的加工工艺办法”的专利，公开号CN 118824871 A，请求日期为2024年6月。

  专利摘要显现，本发明触及一种超级背封的加工工艺办法，所属硅片背封加工技术领域，包含如下操作过程：第一步：对完结双面抛光加工的硅晶片，进行第一次APCVD加工，使硅晶片反面镀上一层二氧化硅薄膜即LTO膜，薄膜厚为0.3～0.6μm。第二步：长第一层二氧化硅薄膜的硅晶片洗净后，对硅晶片正面进行化学机械抛光CMP。第三步：进行第2次LPCVD加工，使硅晶片镀上一层多晶硅膜即Poly膜，多晶硅膜厚约为0.3～0.8μm。第四步：对硅晶片正面进行第2次CMP加工，得到超级背封的抛光片制品。经过超级背封产品工艺流程的两道CVD之间参加一次CMP，再在背封工艺完结后进行终究CMP，改进晶片正面印记、划伤、污迹等缺点。使得加工的硅晶片正面缺点更少，产品良率极大提高。

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